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      • 姓名: 師文生
      • 性別: 男
      • 職稱(chēng): 研究員
      • 職務(wù): 
      • 學(xué)歷: 
      • 電話(huà): 010-82543513
      • 傳真: 010-82543513
      • 電子郵件: shiws@mail.ipc.ac.cn
      • 通訊地址: 北京海淀區中關(guān)村東路29號
        簡(jiǎn)  歷:
      • 1997 年西安交通大學(xué)獲電子材料與元器件專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位,同年進(jìn)入中科院物理所從事博士后研究工作。1999 年加入香港城市大學(xué)超金剛石及先進(jìn)薄膜研究中心,研究一維納米結構的制備、表征以及光學(xué)性質(zhì)。兩年后,作為 STA Fellow,在日本國立產(chǎn)業(yè)綜合技術(shù)研究所從事氧化鋅薄膜的研究以及無(wú)機超細納米熒光粉的制備及應用。2003年加入美國北卡萊羅納大學(xué)教堂山分校化學(xué)系,從事一維半導體納米結構的制備及應用研究。20053, 被中科院理化技術(shù)研究所聘為研究員、博士生導師。分別得到教育部和人事部留學(xué)回國基金的支持,并承擔了863”項目、國家納米重大研究計劃以及國家杰出青年科學(xué)基金項目。近幾年在Nano LettersJ Am Chem SocAdv MaterAngew Chem In EdAppl Phys Lett等發(fā)表 SCI收錄論文60余篇,被他人引用2000余次。申請中國發(fā)明專(zhuān)利30項、日本專(zhuān)利2項、國際專(zhuān)利2項。
        社會(huì )任職:
      •  
        研究方向:
      • 一維半導體納米結構的控制生長(cháng)及性能調控:一維半導體納米結構中的電子輸運行為;通過(guò)摻雜和表面調控,可控制備所需結構、尺寸和光電性能的一維半導體納米結構;探索一維半導體納米結構在納米電子學(xué)器件上的可能應用。

        基于一維納米結構的新型傳感器及傳感機理:一維納米結構的新現象、新效應在化學(xué)和生物傳感領(lǐng)域的應用,研究新的傳感機理和新型傳感器。

        基于一維納米結構的清潔能源器件:研究一維納米結構太陽(yáng)能電池中的電荷傳輸特性,利用一維納米結構制備高效新型太陽(yáng)能電池;發(fā)展基于一維納米結構的高效光催化材料和方法。

        承擔科研項目情況:
      • 國家杰出青年科學(xué)基金

        國家納米重大研究計劃

        中國科學(xué)院重大科研裝備研制項目

        中國科學(xué)院知識創(chuàng )新工程項目

        自然科學(xué)基金面上項目

        代表論著(zhù):
      • 1. Wang XT, Shi WS*, She GW, and Mu LX, Using Si and Ge Nanostructures as Substrates for Surface-Enhanced Raman Scattering Based on Photoinduced Charge Transfer Mechanism, Journal of the American Chemical Society, 2011, 133, 16518–16523

         

        2. Mu LX, Shi WS*, She GW, Chang JC, Lee ST, Fluorescent Logic Gates Chemically Attached to Silicon Nanowires, Angewandte Chemie International Edition, 2009, 48, 3469-3472.

         

        3. Mu LX, Shi WS,* Chang JC, Lee ST, Silicon nanowires-based huorescence sensor for Cu(II),  Nano Letters, 2008, 8 (1), 104-109.

         

        4. Shi WS, Peng HY, Wang N, Li CP, Xu L, Lee CS, Kalish R, Lee ST, Free-standing single crystal silicon nanoribbons, Journal of the American Chemical Society, 2001, 123(44), 11095-11096.

         

        5. Shi WS, Zheng YF, Wang N, Lee CS, Lee ST,  A general synthetic route to III-V compound semiconductor nanowires, Advanced Materials, 2001, 13(8), 591-594.

        獲獎及榮譽(yù):